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MJE3055TG
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE3055TGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark45J1504
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.570 |
| 10+ | $0.779 |
| 100+ | $0.736 |
| 500+ | $0.563 |
| 1000+ | $0.514 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE3055TGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark45J1504
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor60V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60V
Corriente del Colector Continua10A
Disipación de Potencia75W
Disipación de Potencia Pd75W
Corriente de Colector DC10A
Diseño de TransistorTO-220
Ganancia de Corriente DC hFE2hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición2MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.2hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El MJE3055TG es un transistor bipolar de silicio plástico complementario de 60V NPN diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación y conmutación de propósito general. El MJE2955T (PNP) y el MJE3055T (NPN) son dispositivos complementarios.
- Ganancia de corriente CD especificada a 10A
- Alta ganancia de corriente - ancho de banda
- Voltaje de colector a base (VCBO) de 70VDC
- Voltaje de emisor a base (VEBO) de 5V
- Corriente base de 6ACD (IB)
- Resistencia térmica de 1.67°C/W, de unión a carcasa
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60V
Disipación de Potencia
75W
Corriente de Colector DC
10A
Ganancia de Corriente DC hFE
2hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
2hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60V
Corriente del Colector Continua
10A
Disipación de Potencia Pd
75W
Diseño de Transistor
TO-220
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Frecuencia de Transición
2MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJE3055TG
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto