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MJE15035G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Audio, PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE15035G
No. Parte Newark26K4453
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor350
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo350V
Corriente de Colector DC4A
Corriente del Colector Continua4
Disipación de Potencia50
Disipación de Potencia Pd50W
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE100hFE
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición30
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q100
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q100
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
350V
Corriente del Colector Continua
4
Disipación de Potencia Pd
50W
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q100
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje Máx. Colector a Emisor
350
Corriente de Colector DC
4A
Disipación de Potencia
50
Diseño de Transistor
TO-220
Ganancia de Corriente DC hFE
100hFE
Frecuencia de Transición
30
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q100
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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