Imprimir página
MJ11016G
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJ11016GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark26K4505
Su número de pieza
1,439 En Inventario
¿Necesita más?
258 Entrega en EE. UU. en 1-3 días hábiles. Haga su pedido antes de las 12:30 p. m. EST (hora estandar del este de EE. UU.). Envío estándar.
1181 Stock disponible en el Reino Unido para entrega en 4-6 días laborables.
Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.070 |
| 10+ | $4.780 |
| 25+ | $4.350 |
| 50+ | $3.910 |
| 100+ | $3.480 |
| 250+ | $3.210 |
| 500+ | $2.930 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$7.07
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJ11016GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark26K4505
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo120V
Voltaje Máx. Colector a Emisor120V
Disipación de Potencia Pd200W
Frecuencia de Transición-
Corriente del Colector Continua30A
Corriente de Colector DC30A
Disipación de Potencia200W
Encapsulado de Transistor RFTO-3
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines2Pines
Ganancia de Corriente DC hFE200hFE
Diseño de TransistorTO-204AA
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.1000hFE
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El MJ11016G es un transistor de potencia Darlington bipolar NPN de silicio de 120V diseñado para usarse como dispositivos de salida en aplicaciones complementarias de amplificador de propósito general. El transistor tiene una construcción monolítica con resistencia de derivación de emisor de base incorporadas.
- Alta ganancia de Corriente de CD
- Voltaje de colector-base (Vcbo = 120V)
- Voltaje de emisor-base (Vcbo = 5V)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
120V
Frecuencia de Transición
-
Corriente de Colector DC
30A
Encapsulado de Transistor RF
TO-3
No. de Pines
2Pines
Diseño de Transistor
TO-204AA
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
1000hFE
Rango de Producto
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
120V
Disipación de Potencia Pd
200W
Corriente del Colector Continua
30A
Disipación de Potencia
200W
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE
200hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJ11016G
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
