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MGSF2N02ELT1G.
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMGSF2N02ELT1G.
No. Parte Newark29AC8289
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMGSF2N02ELT1G.
No. Parte Newark29AC8289
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id2.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.078
Resistencia de Activación Rds(on)0.078ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.25W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente500
Disipación de Potencia1.25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.078
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
500
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.078ohm
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
1.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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