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FQB34N20LTM
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 31 A, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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Disponible para pedido
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.860 |
| 3000+ | $2.730 |
| 6000+ | $2.630 |
| 12000+ | $2.440 |
| 18000+ | $2.370 |
| 30000+ | $2.310 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 800
Múltiple: 800
$2,288.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQB34N20LTM
No. Parte Newark34C0404
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id31
Resistencia de Activación Rds(on)0.075ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd180W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia180
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FQB34N20LTM es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N QFET® producido utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, corrección de factor de potencia activa (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.
- Requisito de accionamiento de compuerta de bajo nivel que permite el funcionamiento directo desde controladores lógicos
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta baja típica de 55nC
- Cruce bajo típico 52pF
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.075ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
180W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
31
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
180
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto