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FDS9958
MOSFET Dual, Canal P, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS9958
No. Parte Newark78M0965
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.686 |
| 3000+ | $0.665 |
| 6000+ | $0.619 |
| 12000+ | $0.574 |
| 18000+ | $0.559 |
| 30000+ | $0.550 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$1,715.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS9958
No. Parte Newark78M0965
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Intensidad Drenador Continua Id2.9A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.9
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.9
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.082
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.082
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDS9958 es un MOSFET de doble canal P PowerTrench® producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para aplicaciones de electrónica portátil como conmutación de carga y administración de energía, carga de baterías y circuitos de protección.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Corriente de drenaje continua -2.9A
- Corriente de drenaje pulsada -12A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.9A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.9
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.082
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.9
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.082
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto