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FDS8880
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
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| 250+ | $0.536 |
| 500+ | $0.482 |
| 1000+ | $0.472 |
| 2500+ | $0.463 |
| 5000+ | $0.453 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8880Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark75M2468
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id11.6
Resistencia de Activación Rds(on)0.0079ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.01
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Diseño de TransistorSOIC
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDS8880 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso PowerTrench®. Se ha diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores de CD a CD mediante el uso de controladores PWM de conmutación síncrona o convencional. Se ha optimizado para carga de puerta baja, RDS bajo (ON) y velocidad de conmutación rápida.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Baja carga de compuerta
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0079ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
11.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.01
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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