Imprimir página
FDS6612A
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
No está disponible
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6612ACopiar
No. Parte Newark78K5938
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id8.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.019ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.5W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Alternativas para el número de pieza FDS6612A
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El FDS6612A es un MOSFET de nivel lógico de un solo canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench® de Fairchild Semiconductor. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior. Es adecuado para aplicaciones de baja tensión y alimentadas por batería, donde se requiere una baja pérdida de energía en línea y una conmutación rápida.
- Alta velocidad de conmutación
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.019ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2022)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto