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FDMA507PZ
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 7.8 A, 0.024 ohm, MicroFET, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark92R5529
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.250 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$750.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark92R5529
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id7.8
Resistencia de Activación Rds(on)0.019ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.4W
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Diseño de TransistorMicroFET
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente500
Disipación de Potencia2.4
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDMA507PZ es un MOSFET canal-P sencillo producido por el proceso PowerTrench® Está diseñado específicamente para la carga de la batería o la conmutación de carga en teléfonos celulares y otras aplicaciones ultraportátiles. Cuenta con un MOSFET con baja resistencia en estado ENCENDIDO. El paquete MicroFET 2X2 ofrece un rendimiento térmico excepcional para su tamaño físico y es muy adecuado para aplicaciones de modo lineal.
- Libre de halógenos
- Nivel de protección ESD típico de HBM de 3.2kV
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.019ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
500
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
7.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024
Disipación de Potencia Pd
2.4W
Diseño de Transistor
MicroFET
Disipación de Potencia
2.4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDMA507PZ
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto