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FDD8896
MOSFET, N CH, 30V, 94A, TO-252AA-3
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD8896
No. Parte Newark31Y1366
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 59 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.730 |
| 10+ | $1.150 |
| 25+ | $1.040 |
| 50+ | $0.928 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD8896
No. Parte Newark31Y1366
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id94A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0047ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4700µohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd80W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia80W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDD8896 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso PowerTrench®. Está diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CD a CD utilizando controladores PWM de conmutación sincrónicos o convencionales. Se ha optimizado para carga de puerta baja, RDS bajo (ON) y velocidad de conmutación rápida.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Baja carga de compuerta
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0047ohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
94A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4700µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
80W
Disipación de Potencia
80W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto