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FDD7N20TM
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 5 A, 0.69 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD7N20TMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante35 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4931
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1361RL
Cinta adhesiva31Y1361
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1,887 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.440 | $7.20 |
| Total Precio | $7.20 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.440 |
| 50+ | $0.946 |
| 100+ | $0.660 |
| 250+ | $0.599 |
| 500+ | $0.537 |
| 1000+ | $0.497 |
| 2500+ | $0.430 |
| 5000+ | $0.421 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.470 |
| 3000+ | $0.462 |
| 6000+ | $0.434 |
| 12000+ | $0.413 |
| 18000+ | $0.391 |
| 30000+ | $0.378 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD7N20TMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante35 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4931
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1361RL
Cinta adhesiva31Y1361
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.69ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.58ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd43W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia43W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDD7N20TM es un MOSFET de alto voltaje de canal N UniFET™ producido en base a la tecnología de banda plana y DMOS. Este MOSFET está diseñado para reducir la resistencia en estado ON, proporcionar un mejor rendimiento de conmutación y una mayor fuerza de energía de avalancha. Esta familia de dispositivos es adecuada para cambiar aplicaciones de convertidor de potencia, como corrección de factor de potencia (PFC), alimentación de TV de pantalla plana (FPD), ATX y balastos electrónicos para lámparas.
- Probado avalancha 100%
- 5nC carga baja típica de la puerta
- Cruce bajo típico 5pF
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.69ohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.58ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
43W
Disipación de Potencia
43W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDD7N20TM
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto