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FDC655BN
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC655BN
No. Parte Newark
Hilado completo64K0963
Cinta adhesiva15R3422
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.757 | $0.76 |
| Total Precio | $0.76 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.757 |
| 25+ | $0.594 |
| 50+ | $0.504 |
| 100+ | $0.432 |
| 250+ | $0.371 |
| 500+ | $0.324 |
| 1000+ | $0.275 |
| 2500+ | $0.242 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.227 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC655BN
No. Parte Newark
Hilado completo64K0963
Cinta adhesiva15R3422
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id6.3
Resistencia de Activación Rds(on)0.021ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.6W
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza FDC655BN
2 productos encontrados
Resumen del producto
El FDC655BN es un MOSFET de canal N único de nivel lógico producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ON y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Es adecuado para aplicaciones de baja tensión y alimentadas por batería, donde se requiere una baja pérdida de energía en línea y una conmutación rápida.
- Conmutación rápida
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.021ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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