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FDC642P
MOSFET, P-CH, -20V, -4A, SOT-23-6
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC642P
No. Parte Newark31Y1348
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.567 |
| 10+ | $0.447 |
| 25+ | $0.411 |
| 50+ | $0.376 |
| 100+ | $0.340 |
| 250+ | $0.303 |
| 500+ | $0.265 |
| 1000+ | $0.238 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC642P
No. Parte Newark31Y1348
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600mV
Disipación de Potencia1.6W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC642P es un MOSFET de canal P único especificado de 2.5V producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior. Está diseñado para ofrecer una disipación de energía excepcional en un espacio muy pequeño para aplicaciones donde los paquetes más grandes no son prácticos. Es adecuado para su uso en interruptores de carga y aplicaciones de protección de baterías.
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Carga de puerta baja típica de 11nC
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600mV
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Disipación de Potencia
1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDC642P
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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