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FDC5612
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante30 semanas
No. Parte Newark58K1414
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 30 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.392 |
| 6000+ | $0.384 |
| 9000+ | $0.376 |
| 15000+ | $0.368 |
| 30000+ | $0.361 |
| 75000+ | $0.353 |
| 150000+ | $0.345 |
| 300000+ | $0.337 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$1,176.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC5612Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante30 semanas
No. Parte Newark58K1414
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id4.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055
Resistencia de Activación Rds(on)0.055ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.6W
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC5612 es un MOSFET de canal N producido con tecnología PowerTrench®. Está diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CD a CD utilizando controladores PWM de conmutación sincrónicos o convencionales. Cuenta con una conmutación más rápida y una carga de puerta más baja que otros MOSFET con especificaciones RDS (ON) comparables. El resultado es un MOSFET que es fácil y más seguro de conducir (incluso a frecuencias muy altas) y diseños de fuente de alimentación de CD a CD con mayor eficiencia general.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Carga de puerta baja típica de 12.5nC
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.055ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto