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FDB15N50
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 15 A, 0.33 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB15N50Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark83H9055
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $3.300 |
| 1600+ | $3.230 |
| 2400+ | $3.170 |
| 4000+ | $3.100 |
| 8000+ | $3.040 |
| 20000+ | $2.970 |
| 40000+ | $2.900 |
| 80000+ | $2.840 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 800
Múltiple: 800
$2,640.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB15N50Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark83H9055
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id15
Resistencia de Activación Rds(on)0.33ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.33
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.4
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
0.33ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
15
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.33
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
300W
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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