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CAT93C86LI-G
EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8bit / 1K x 16bit, Microwire, 3 MHz, DIP, 8 Pines
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteCAT93C86LI-G
No. Parte Newark06R1479
Rango de ProductoSerie 16Kbit Microwire Serial EEPROM
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteCAT93C86LI-G
No. Parte Newark06R1479
Rango de ProductoSerie 16Kbit Microwire Serial EEPROM
Hoja de datos técnicos
Tipo de Interfaz ICMicrowire
Densidad de Memoria16Kbit
Tamaño de la Memoria16Kbit
Configuración Memoria EEPROM2K x 8bit / 1K x 16bit
Configuración de Memoria2K x 8bit / 1K x 16bit
InterfacesMicrowire
Tipo de Interfaz de MemoriaMicroalambre Serial
Frecuencia de Reloj3MHz
Frecuencia Max de Reloj3MHz
Memoria, TipoDIP
Estuche / Paquete CIDIP
No. de Pines8Pines
Tensión de Alimentación Mín.1.8V
Tensión de Alimentación Máx.5.5V
IC, MontajeThrough Hole
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de ProductoSerie 16Kbit Microwire Serial EEPROM
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Resumen del producto
The CAT93C86LI-G is a 16kB MICROWIRE serial CMOS Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) which is configured as either registers of 16-bit (ORG pin at VCC) or 8-bit (ORG pin at GND). Each register can be written (or read) serially by using the DI (or DO) pin. The CAT93C86 is manufactured using Catalysts advanced CMOS EEPROM floating gate technology. The device is designed to endure 1000000 program/erase cycles and has data retention of 100 years.
- High speed operation - 3MHz
- 1.8 to 5.5V Supply voltage range
- Low power CMOS technology
- Self-timed write cycle with auto-clear
- Hardware and software write protection
- Power-up inadvertent write protection
- Sequential read
- Program enable (PE) pin
Especificaciones técnicas
Tipo de Interfaz IC
Microwire
Tamaño de la Memoria
16Kbit
Configuración de Memoria
2K x 8bit / 1K x 16bit
Tipo de Interfaz de Memoria
Microalambre Serial
Frecuencia Max de Reloj
3MHz
Estuche / Paquete CI
DIP
Tensión de Alimentación Mín.
1.8V
IC, Montaje
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Densidad de Memoria
16Kbit
Configuración Memoria EEPROM
2K x 8bit / 1K x 16bit
Interfaces
Microwire
Frecuencia de Reloj
3MHz
Memoria, Tipo
DIP
No. de Pines
8Pines
Tensión de Alimentación Máx.
5.5V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
Serie 16Kbit Microwire Serial EEPROM
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto