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BD239C
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBD239CCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark64AH2629
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.930 |
| 10+ | $1.290 |
| 100+ | $0.848 |
| 500+ | $0.844 |
| 1000+ | $0.839 |
| 3600+ | $0.835 |
| 10800+ | $0.833 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBD239CCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark64AH2629
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor100
Corriente del Colector Continua2
Disipación de Potencia30
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.15
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BD239C is a 100V Silicon NPN Power Transistor manufactured in planar technology with base island layout. The transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
- Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
- Emitter-base voltage (Vebo = 5V)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100
Disipación de Potencia
30
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
15
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
2
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-220
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto