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2N6286G
Transistor Darlington, Darlington, PNP, 2 Pines
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N6286G
No. Parte Newark42K3170
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N6286G
No. Parte Newark42K3170
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Frecuencia de Transición-
Corriente del Colector Continua40A
Disipación de Potencia160W
No. de Pines2Pines
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Diseño de TransistorTO-3
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.18hFE
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El 2N6286G es un transistor de potencia de silicio complementario PNP Darlington diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. Presenta una construcción monolítica con resistencias de derivación de emisor base incorporadas.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Corriente del Colector Continua
40A
No. de Pines
2Pines
Diseño de Transistor
TO-3
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Frecuencia de Transición
-
Disipación de Potencia
160W
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
18hFE
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65