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FDV302P
MOSFET de Potencia, Canal P, 25 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDV302P
No. Parte Newark58K1479
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDV302P
No. Parte Newark58K1479
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id120
Resistencia de Activación Rds(on)7.9ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente10
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd350mW
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia350
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2020)
Resumen del producto
The FDV302P is a P-channel logic level enhancement-mode Digital FET produced using Fairchild's proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It is designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this one P-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors such as the DTCx and DCDx series.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation
- Gate-source Zener for ESD ruggedness, <gt/>6kV human body mode
- Compact industry standard surface-mount package
- Replace many PNP digital transistors (DTCx and DCDx) with one DMOS FET
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia de Activación Rds(on)
7.9ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
10
Disipación de Potencia Pd
350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
350
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2020)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2020)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
