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FDS6890A
MOSFET Dual, Canal N, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6890A
No. Parte Newark67R2078
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 2 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.900 |
| 3000+ | $0.872 |
| 6000+ | $0.812 |
| 12000+ | $0.752 |
| 18000+ | $0.732 |
| 30000+ | $0.720 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$2,250.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6890A
No. Parte Newark67R2078
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id7.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.013
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDS6890A es un MOSFET de doble canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench™. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior.
- Alta velocidad de conmutación
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±8V
- Corriente de drenaje continua 7.5A
- Corriente de drenaje pulsada 20A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
7.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.013
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto