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2SK3666-3-TB-E
Transistor JFET, -30 V, 3 mA, -2.2 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2SK3666-3-TB-E
No. Parte Newark13AC6280
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2SK3666-3-TB-E
No. Parte Newark13AC6280
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-30V
Voltaje de Ruptura Vbr-30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula1.2mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero3mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-2.2V
Diseño de TransistorSOT-23
Tipo de TransistorJFET
No. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal N
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2020)
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
1.2mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-2.2V
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2020)
Voltaje de Ruptura Vbr
-30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
3mA
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2020)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
