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MRFE6VP5150GNR1
Transistor FET RF, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
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FabricanteNXP
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 500+ | $48.310 |
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Mínimo: 500
Múltiple: 500
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Información del producto
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Tiempo de entrega estándar del fabricante100 semanas
No. Parte Newark67X4471
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds139V
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia952W
Disipación de Potencia Pd952W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.600MHz
Diseño de TransistorTO-270WBG
Encapsulado de Transistor RFTO-270WB
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.225°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
- Transistor LDMOS de potencia RF
- Amplio rango de frecuencia de operación de 1.8 a 600MHz.
- Entrada y salida inigualables que permiten una amplia gama de frecuencias de utilización
- Circuito integrado de protección ESD
- Mejoras de estabilidad integradas
- Baja resistencia térmica
- MOSFET lateral de modo de mejora de canal N de alta robustez
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
139V
Disipación de Potencia
952W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.8MHz
Diseño de Transistor
TO-270WBG
No. de Pines
4Pines
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Intensidad Drenador Continua Id
-
Disipación de Potencia Pd
952W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
600MHz
Encapsulado de Transistor RF
TO-270WB
Temperatura de Trabajo Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto