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MRF6V2150NBR1
Transistor FET RF, 110 V, 150 W, 10 MHz, 450 MHz, TO-272
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRF6V2150NBR1Copiar
No. Parte Newark41AH8203
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds110
Disipación de Potencia150
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia Pd150W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.10
Frecuencia de Funcionamiento Máx.450
Diseño de TransistorTO-272
No. de Pines4Pines
Encapsulado de Transistor RFTO-272
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
110
Intensidad Drenador Continua Id
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
10
Diseño de Transistor
TO-272
Encapsulado de Transistor RF
TO-272
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Disipación de Potencia
150
Disipación de Potencia Pd
150W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
450
No. de Pines
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Montaje de Transistor
Brida
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto