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MRF6V12250HR5
TRANSISTOR, RF, 100V, NI-780H-2L
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FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRF6V12250HR5
No. Parte Newark31AC6680
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRF6V12250HR5
No. Parte Newark31AC6680
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100VDC
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Mín.960MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.1215MHz
Diseño de TransistorNI-780
No. de Pines2Pines
Encapsulado de Transistor RF0
Temperatura de Trabajo Máx.225°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorFlange
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100VDC
Disipación de Potencia
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
960MHz
Diseño de Transistor
NI-780
Encapsulado de Transistor RF
0
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
-
Disipación de Potencia Pd
0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
1215MHz
No. de Pines
2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Flange
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MRF6V12250HR5
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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WARNINGProposition 65