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BLF278,112
Transistor FET RF, 50 V, 18 A, 500 W, 108 MHz, 225 MHz, SOT-262A1
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF278,112
No. Parte Newark70R2768
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id18
Disipación de Potencia500
Disipación de Potencia Pd500W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.108
Frecuencia de Funcionamiento Máx.225
Diseño de TransistorSOT-262A1
Encapsulado de Transistor RFSOT-262A1
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.200
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Disipación de Potencia
500
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
108
Diseño de Transistor
SOT-262A1
No. de Pines
5Pines
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Intensidad Drenador Continua Id
18
Disipación de Potencia Pd
500W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
225
Encapsulado de Transistor RF
SOT-262A1
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto