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PMN120ENEAX
MOSFET, N-CH, 60V, 3.1A, TSOP
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 59 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.865 |
| 10+ | $0.542 |
| 25+ | $0.479 |
| 50+ | $0.418 |
| 100+ | $0.355 |
| 250+ | $0.315 |
| 500+ | $0.274 |
| 1000+ | $0.248 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$4.32
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMN120ENEAX
No. Parte Newark03AJ2547
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id3.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.096ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia1.4W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.096ohm
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.4W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
3.1A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto