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NGW30T65M3DFPQ
IGBT, 57 A, 1.5 V, 199 W, 650 V, TO-247, 3 Pines
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNGW30T65M3DFPQCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)27AM4564RL
Cinta adhesiva27AM4564
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.770 | $4.77 |
| Total Precio | $4.77 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.770 |
| 50+ | $3.350 |
| 100+ | $2.970 |
| 250+ | $2.590 |
| 500+ | $2.210 |
| 1000+ | $2.100 |
| 2500+ | $1.970 |
| 5000+ | $1.930 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNGW30T65M3DFPQCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)27AM4564RL
Cinta adhesiva27AM4564
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua57
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.5
Disipación de Potencia199
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
NGW30T65M3DFPQ is a 650V, 30A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW30T65M3DFP is rated to 175°C with optimized IGBT turn-off losses, and has a short-circuit withstand time of 5μs. This hard-switching 650V, 50A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and soft fast reverse recovery diode
- HV-H3TRB qualified
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
57
Disipación de Potencia
199
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.5
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto