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NGW30T65M3DFPQ
IGBT, 57 A, 1.5 V, 199 W, 650 V, TO-247, 3 Pines
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.040 |
| 10+ | $6.190 |
| 25+ | $5.560 |
| 50+ | $4.940 |
| 100+ | $4.550 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNGW30T65M3DFPQ
No. Parte Newark27AM4564
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua57
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.5
Disipación de Potencia199
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
57
Disipación de Potencia
199
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.5
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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