MTA8ATF1G64HZ-3G2R1

MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 es un módulo DDR4 SDRAM de alta velocidad que utiliza dispositivos DDR4 SDRAM con dos o cuatro grupos de bancos de memoria internos. Los módulos DDR4 SDRAM utilizan dispositivos DDR4 SDRAM de 4 y 8 bits de ancho y tienen cuatro grupos de bancos internos que constan de cuatro bancos de memoria cada uno, lo que proporciona un total de 16 bancos. El dispositivo SDRAM DDR4 de 16 bits de ancho tiene dos grupos de bancos internos que constan de cuatro bancos de memoria cada uno, lo que proporciona un total de ocho bancos. Los módulos DDR4 SDRAM se beneficia del uso de una arquitectura de precarga 8n de DDR4 SDRAM con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Una sola operación de LECTURA o ESCRITURA para la SDRAM DDR4 consiste efectivamente en una única transferencia de datos de cuatro ciclos de reloj y 8n bits de ancho en el núcleo DRAM interno y ocho transferencias de datos correspondientes de medio ciclo de reloj y n bits de ancho en los pines de E/S. El módulo DDR4 utiliza dos conjuntos de señales diferenciales: DQS-t y DQS-c para capturar datos y CK-t y CK-c para capturar comandos, direcciones y señales de control.

• Memoria SODIMM DDR4 SDRAM de 8GB (x64, SR) de 260 pines
• Módulo de memoria doble en línea de contorno pequeño (SODIMM) de 260 pines
• Densidad de memoria de 8GB, configuración de 1 Gig x 64, ancho de banda del módulo de 25.6GB/s
• 0.62ns/3200MT/s velocidad de reloj/datos de memoria
• Terminación integrada (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, estroboscópicas y de máscara
• Actualización automática de bajo consumo (LPASR), inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en matriz, de un solo rango
• EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) I2C integrada
• Contactos de borde dorado, topología de paso por corriente
• Bus de control comando y dirección terminado