MT46H16M32LFB5-5 IT:C

MT46H16M32LFB5-5 IT:C es una SDRAM LPDDR móvil. La memoria DDR SDRAM móvil de bajo consumo de 512Mb es una memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad que contiene 536.870.912 bits. Está configurado internamente como una DRAM de cuatro ban

• Voltaje de funcionamiento de 1.8/1.8V, entradas de reloj diferenciales (CK y CK#)
• Señal de datos bidireccional por byte de datos (DQS)
• Arquitectura interna de doble velocidad de datos (DDR) segmentada; dos accesos a datos por ciclo de reloj
• Comandos introducidos en cada flanco positivo de CK, capacidad de parada del reloj
• DQS borde alineado con datos para Lectura; centro alineado con datos para Escritura
• 4 bancos internos para operación concurrente, máscaras de datos (DM) para enmascarar los datos de escritura; una máscara por byte.
• Longitudes de ráfaga programables (BL): Se admite la opción de precarga automática simultánea de 2, 4, 8 o 16.
• Modos de actualización automática y autoactualización, entradas compatibles con LVCMOS de 1.8V.
• Frecuencia de reloj de 200MHz, tiempo de acceso de 5.0ns, configuración de 16 Meg x 32, direccionamiento estándar JEDEC.
• Paquete VFBGA de 90 pines, rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 °C a +85 °C