MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E es una memoria flash NAND. Incluye una interfaz de datos asíncrona para operaciones de E/S de alto rendimiento. Este dispositivo utiliza un bus de 8 bits altamente multiplexado (E/Ox) para transferir comandos, direcciones y datos. Hay cinco señales de control que se utilizan para implementar la interfaz de datos asincrónica: CE#, CLE, ALE, WE#, y RE#. Las señales adicionales controlan la protección contra escritura del hardware y monitorean el estado del dispositivo (R/B#). Esta interfaz de hardware crea un dispositivo con un número bajo de pines y una distribución de pines estándar que permanece igual de una densidad a otra, lo que permite futuras actualizaciones a densidades más altas sin necesidad de rediseñar la placa. Un objetivo es la unidad de memoria a la que se accede mediante una señal de habilitación del chip. Un objetivo contiene una o más memorias flash NAND. Una memoria NAND Flash es la unidad mínima que puede ejecutar comandos e informar el estado de forma independiente. En la especificación ONFI, una memoria Flash NAND se denomina unidad lógica (LUN). Hay al menos una memoria Flash NAND por cada señal de habilitación de chip.

• Tecnología de celda de un solo nivel (SLC) compatible con Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0.
• La señal Listo/Ocupado# (R/B#) proporciona un método de hardware para detectar la finalización de la operación
• Señal WP#: protege contra escritura todo el dispositivo.
• El bloque 0 requiere ECC de 1 bit si los ciclos de PROGRAMACIÓN/BORRADO son menores a 1000
• RESET (FFh) requerido como primer comando después del encendido
• Operaciones de movimiento de datos internos admitidas dentro del plano desde el que se leen los datos
• Retención de datos: 10 años, resistencia: 100,000 ciclos de PROGRAMACIÓN/BORRADO
• Densidad de 2Gb
• Rango de voltaje de funcionamiento de 3.3V (2.7–3.6V)
• Encapsulado TSOP de 48 pines, rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 °C a +85 °C.