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MT25QL01GBBB8ESF-0SIT
Memoria Flash, NOR Serial, 1 Gbit, 256M x 4bit, SPI, WSOIC, 16 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT25QL01GBBB8ESF-0SIT
No. Parte Newark80AH7498
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $24.670 |
| 10+ | $23.570 |
| 25+ | $22.820 |
| 50+ | $21.640 |
| 100+ | $20.850 |
| 250+ | $20.010 |
| 500+ | $19.650 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT25QL01GBBB8ESF-0SIT
No. Parte Newark80AH7498
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Serial
Densidad de Memoria1
Tamaño de la Memoria1Gbit
Configuración de Memoria256M x 4bit
Configuración Memoria Flash256M x 4bit
Tipo de Interfaz ICSPI
InterfacesSPI
Memoria, TipoWSOIC
Estuche / Paquete CIWSOIC
No. de Pines16Pines
Frecuencia Max de Reloj133
Frecuencia de Reloj133MHz
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
MT25QL01GBBB8ESF-0SIT es una memoria flash serial de E/S múltiple. El MT25Q es un dispositivo de memoria flash serial de entrada/salida múltiple de alto rendimiento. Cuenta con una interfaz de bus compatible con SPI de alta velocidad, funcionalidad de ejecución en el lugar (XIP), mecanismos avanzados de protección contra escritura y acceso a direcciones extendidas.
- Interfaz de bus serie compatible con SPI, velocidad de transferencia simple y doble (STR/DTR)
- Protocolos admitidos tanto en STR como en DTR: protocolo de E/S extendida, protocolo de E/S dual, protocolo de E/S cuádruple
- Operaciones de PROGRAMAR/BORRAR SUSPENDER, ajustes de configuración volátiles y no volátiles
- Reinicio de software, PIN de reinicio adicional para números de piezas seleccionados
- Comandos de E/S duales/cuádruples para aumentar el rendimiento hasta 90 MB/s
- Compatible con JESD47H, mínimo 100,000 ciclos de BORRADO por sector, retención de datos: 20 años (TÍPICO)
- Voltaje nominal de 2.7V a 3.6V
- Densidad de 1Gb (128MB)
- Sectores de 64KB, subsectores de 4KB y 32KB
- Paquete SOP2 de 16 pines, rango de temperatura de -40 °C a +85 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Serial
Tamaño de la Memoria
1Gbit
Configuración Memoria Flash
256M x 4bit
Interfaces
SPI
Estuche / Paquete CI
WSOIC
Frecuencia Max de Reloj
133
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de Memoria
1
Configuración de Memoria
256M x 4bit
Tipo de Interfaz IC
SPI
Memoria, Tipo
WSOIC
No. de Pines
16Pines
Frecuencia de Reloj
133MHz
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Serial NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto