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TN0702N3-G
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Agujero Pasante
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FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteTN0702N3-GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante6 semanas
No. Parte Newark53Y4241
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteTN0702N3-GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante6 semanas
No. Parte Newark53Y4241
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id530
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.3
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia Pd1W
Disipación de Potencia1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.
- Suitable for Logic level interfaces (TTL and CMOS), Solid state relays, Battery operated systems, Photo voltaic drives, Analog switches etc.
- Low threshold - 1.6V max.
- High input impedance
- Low input capacitance - 130pF typical
- Fast switching speeds
- Low on-resistance guaranteed at VGS = 2, 3, and 5V
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakage
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.3
Diseño de Transistor
TO-92
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Disipación de Potencia Pd
1W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
530
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza TN0702N3-G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto