Imprimir página
IXTP6N100D2
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
139 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.540 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.54
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTP6N100D2Copiar
No. Parte Newark03AH1703
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.2
Resistencia de Activación Rds(on)2.2ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia Pd300W
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
MOSFET de modo de agotamiento de canal N adecuado para su uso en amplificadores de audio, circuitos de arranque, circuitos de protección, generadores de rampa, reguladores de corriente y aplicaciones de cargas activas.
- Modo normalmente encendido
- Los epóxicos de moldeo cumplen con la clasificación de inflamabilidad UL94V-0
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.2
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Disipación de Potencia Pd
300W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6
Resistencia de Activación Rds(on)
2.2ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto