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IXFK210N30X3
MOSFET de Potencia, Canal N, 300 V, 210 A, 0.0043 ohm, TO-264, Agujero Pasante
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFK210N30X3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark03AH0648
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $34.790 |
| 5+ | $32.000 |
| 10+ | $29.210 |
| 25+ | $26.430 |
| 100+ | $25.700 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFK210N30X3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark03AH0648
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds300
Intensidad Drenador Continua Id210
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0043
Resistencia de Activación Rds(on)0.0043ohm
Diseño de TransistorTO-264
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia1.25
Disipación de Potencia Pd1.25kW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
MOSFET de potencia HiPerFET™ de clase X3 con clasificación de avalancha en modo de mejora de canal N. Es adecuado para su uso en convertidores CD-CD, fuentes de alimentación de modo conmutado y resonante, accionamientos de motores de CA y CD, circuitos PFC, robótica y aplicaciones de servocontrol.
- Bajo RDS (encendido) y QG
- Baja inductancia del paquete.
- Alta densidad de potencia
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
300
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0043
Diseño de Transistor
TO-264
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1.25
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
210
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0043ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
1.25kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie Clase-X3 HiPerFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto