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IXFA72N30X3
MOSFET de Potencia, Canal N, 300 V, 72 A, 0.019 ohm, TO-263, Montaje Superficial
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFA72N30X3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark03AH0477
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $14.360 |
| 10+ | $9.980 |
| 25+ | $9.050 |
| 50+ | $8.120 |
| 100+ | $7.510 |
| 250+ | $7.030 |
| 500+ | $6.540 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFA72N30X3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark03AH0477
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds300
Intensidad Drenador Continua Id72
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019
Resistencia de Activación Rds(on)0.019ohm
Diseño de TransistorTO-263
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd390W
Disipación de Potencia390
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
X3-class HiPerFET™ power MOSFET suitable for switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converter, PFC circuits, AC and DC motor drives, robotics and servo controls applications.
- Low RDS(ON) and QG
- Avalanche rated
- Low package inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
300
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
390W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
72
Resistencia de Activación Rds(on)
0.019ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
390
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie Clase-X3 HiPerFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IXFA72N30X3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto