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IXFN180N15P
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 150 A, 11 mohm, ISOTOP, Módulo
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFN180N15PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark58M7620
Su número de pieza
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $35.340 |
| 5+ | $33.610 |
| 10+ | $31.680 |
| 25+ | $29.550 |
| 50+ | $27.620 |
| 100+ | $27.040 |
| 250+ | $26.270 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$35.34
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFN180N15PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark58M7620
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id150A
Resistencia de Activación Rds(on)0.011ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.011ohm
Diseño de TransistorISOTOP
Montaje de TransistorModule
Disipación de Potencia Pd680W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia680W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
The IXFN180N15P is a 150V N-channel Enhancement Mode PolarHV™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0 flammability
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Fast recovery diode
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low inductance offers easy to drive and protect
- High power density
- Easy to mount
- Space-saving s
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.011ohm
Diseño de Transistor
ISOTOP
Disipación de Potencia Pd
680W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
150A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.011ohm
Montaje de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
680W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IXFN180N15P
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
