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IXFK64N50P
MOSFET de Potencia, PolarFET, Canal N, 500 V, 64 A, 85 mohm, TO-264, Agujero Pasante
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFK64N50P
No. Parte Newark58M7613
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $15.800 |
| 10+ | $12.400 |
| 25+ | $12.290 |
| 50+ | $12.190 |
| 100+ | $12.080 |
| 250+ | $11.070 |
| 500+ | $10.060 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$15.80
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFK64N50P
No. Parte Newark58M7613
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id64
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente85
Resistencia de Activación Rds(on)0.085ohm
Diseño de TransistorTO-264
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd830W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5
Disipación de Potencia830
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El IXFK64N50P es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N único con diodo intrínseco rápido (HiPerFET™). Cuenta con baja resistencia a encendido estático de drenaje a fuente y alta densidad de potencia. Es adecuado para convertidores de CD a CD, cargadores de batería, interruptores de CD, fuentes de alimentación de modo de conmutación y de modo resonante.
- Paquetes estándar internacionales
- Bajo Qg
- Baja inductancia del paquete.
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Calificación de avalancha
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
64
Resistencia de Activación Rds(on)
0.085ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
830W
Disipación de Potencia
830
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
85
Diseño de Transistor
TO-264
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65