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IXFB100N50Q3
MOSFET de Potencia, Clase-Q3, Canal N, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, PLUS264, Agujero Pasante
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFB100N50Q3Copiar
No. Parte Newark02AC9796
Rango de ProductoHiPerFET Series
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
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No. Parte Newark02AC9796
Rango de ProductoHiPerFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.049
Resistencia de Activación Rds(on)0.049ohm
Diseño de TransistorPLUS264
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd1.56kW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6.5
Disipación de Potencia1.56
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHiPerFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.049
Diseño de Transistor
PLUS264
Disipación de Potencia Pd
1.56kW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HiPerFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.049ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1.56
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
