MOSFETs Sencillos | Newark Electrónica

Los precios mostrados incluyen impuestos y aranceles aplicables

No. De parte del fabricante	Código de Orden	Fabricante / Descripción	Precio para	Precio	Tipo de Canal	Transistor, Polaridad	Voltaje de Drenaje-Fuente Vds	Intensidad Drenador Continua Id	Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente	Resistencia de Activación Rds(on)	Diseño de Transistor	Montaje de Transistor	Voltaje de Prueba Rds(on)	Disipación de Potencia Pd	Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente	Disipación de Potencia	No. de Pines	Temperatura de Trabajo Máx.	Rango de Producto

IXFH12N120P	76Y3352 Data Sheet RoHS	IXYS SEMICONDUCTOR MOSFET de Potencia Canal N 1.2 kV 12 A 1.35 ohm TO-247 Agujero Pasante	Cada	1+$17.950 10+$11.230 25+$11.010 50+$10.780 100+$10.560 Más precios…	Canal N	0	1.2	12	1.35	0	TO-247	Agujero Pasante	10	0	6.5	543	3Pines	150	-
IXFH16N120P	03AH0536 Data Sheet RoHS Fecha y lote	LITTELFUSE MOSFET de Potencia Canal N 1.2 kV 16 A 0.95 ohm TO-247 Agujero Pasante	Cada	1+$24.390 5+$20.080 10+$15.800 25+$15.790 50+$15.780 Más precios…	Canal N	Canal N	1.2	16	0.95	0.95ohm	TO-247	Agujero Pasante	10	660W	6.5	660	3Pines	150	Serie Polar HiPerFET
IXTH02N450HV	03AH1444 Data Sheet RoHS Fecha y lote	LITTELFUSE MOSFET de Potencia Canal N 4.5 kV 200 mA 625 ohm TO-247HV Agujero Pasante	Cada	300+$18.460 600+$18.090 900+$17.720 1500+$17.350 3000+$16.980 Más precios…	Canal N	Canal N	4.5	200	625	625ohm	TO-247HV	Agujero Pasante	10	113W	6.5	113	3Pines	150	-
IXFB100N50Q3	02AC9796 Data Sheet RoHS	IXYS SEMICONDUCTOR MOSFET de Potencia Clase-Q3 Canal N 500 V 100 A 0.049 ohm PLUS264 Agujero Pasante	Cada	1+$56.660 5+$53.870 10+$50.770 25+$47.370 50+$44.270 Más precios…	Canal N	Canal N	500	100	0.049	0.049ohm	PLUS264	Agujero Pasante	10	1.56kW	6.5	1.56	3Pines	150	HiPerFET Series