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IS43DR16128C-25DBLI
DRAM, DDR2 , 128M x 16bit, 16Mx16x8 Bancos, 8K/64ms, WBGA-84
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS43DR16128C-25DBLI
No. Parte Newark81Y1239
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS43DR16128C-25DBLI
No. Parte Newark81Y1239
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMDDR2
Configuración Memoria DRAM128M x 16bit
Densidad de DRAM2Gbit
Memoria, TipoWBGA
Densidad de Memoria2
Configuración de Memoria128M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj400
Frecuencia de Reloj400MHz
Tiempo de Acceso-
Estuche / Paquete CIWBGA
No. de Pines84Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.8
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
DDR2
Densidad de DRAM
2Gbit
Densidad de Memoria
2
Frecuencia Max de Reloj
400
Tiempo de Acceso
-
No. de Pines
84Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Configuración Memoria DRAM
128M x 16bit
Memoria, Tipo
WBGA
Configuración de Memoria
128M x 16bit
Frecuencia de Reloj
400MHz
Estuche / Paquete CI
WBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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