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IRLZ34NPBF
N CHANNEL MOSFET, 55V, 30A TO-220AB
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLZ34NPBFCopiar
No. Parte Newark63J7705
También conocido comoSP001553290
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.060 |
| 10+ | $1.100 |
| 100+ | $0.999 |
| 500+ | $0.815 |
| 1000+ | $0.755 |
| 4000+ | $0.704 |
| 10000+ | $0.664 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLZ34NPBFCopiar
No. Parte Newark63J7705
También conocido comoSP001553290
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id27A
Resistencia de Activación Rds(on)0.035ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.035ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd56W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia56W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRLZ34NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con extremadamente baja resistencia a la conexión por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
- Unidad de puerta de nivel lógico
- Tecnología de proceso avanzada
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.035ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
27A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.035ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
56W
Disipación de Potencia
56W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza IRLZ34NPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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