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IRLZ34NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 30 A, 35 mohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLZ34NPBF
No. Parte Newark63J7705
También conocido comoSP001553290
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.290 |
| 10+ | $0.869 |
| 100+ | $0.800 |
| 500+ | $0.612 |
| 1000+ | $0.574 |
| 4000+ | $0.545 |
| 10000+ | $0.526 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLZ34NPBF
No. Parte Newark63J7705
También conocido comoSP001553290
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35
Resistencia de Activación Rds(on)0.035ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd56W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia56
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRLZ34NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con extremadamente baja resistencia a la conexión por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
- Unidad de puerta de nivel lógico
- Tecnología de proceso avanzada
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.035ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
56W
Disipación de Potencia
56
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRLZ34NPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto