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IRL540NSTRLPBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 36 A, 44 mohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRL540NSTRLPBF.Copiar
No. Parte Newark32AC0785
Rango de ProductoHEXFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $0.955 |
| 2400+ | $0.901 |
| 4000+ | $0.856 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 800
Múltiple: 800
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRL540NSTRLPBF.Copiar
No. Parte Newark32AC0785
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id36
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente44
Resistencia de Activación Rds(on)0.044ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de ProductoHEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
44
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
140W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
36
Resistencia de Activación Rds(on)
0.044ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRL540NSTRLPBF.
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