Imprimir página
IRFR2405TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR2405TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5310
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9127
Cinta adhesiva13AC9127
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
1,853 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.170 | $10.85 |
| Total Precio | $10.85 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.170 |
| 10+ | $1.450 |
| 25+ | $1.310 |
| 50+ | $1.170 |
| 100+ | $1.020 |
| 250+ | $0.934 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2000+ | $0.703 |
| 4000+ | $0.684 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR2405TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5310
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9127
Cinta adhesiva13AC9127
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id56A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.016ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia110W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.016ohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
56A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRFR2405TRPBF
2 productos encontrados
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto