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IRFH7085TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH7085TRPBF
No. Parte Newark31Y2064
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.340 |
| 10+ | $2.030 |
| 25+ | $1.880 |
| 50+ | $1.720 |
| 100+ | $1.570 |
| 250+ | $1.450 |
| 500+ | $1.330 |
| 1000+ | $1.290 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH7085TRPBF
No. Parte Newark31Y2064
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0032
Resistencia de Activación Rds(on)0.0026ohm
Diseño de TransistorQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™ de un solo canal N. El dispositivo es ideal para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones que incluyen motores de CD, sistemas de administración de baterías, inversores y convertidores CD-CD, topologías de medio puente y puente completo, rectificador síncrono y fuentes de alimentación de modo resonante.
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
- Calificación del producto según el estándar JEDEC
- Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación de silicio anterior
- El arreglo de pines estándar permite un reemplazo directo
- Nivel de calificación estándar de la industria
- Alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia
- Aumento de la densidad de potencia
- Proporciona a los diseñadores flexibilidad para seleccionar el dispositivo más óptimo para su aplicación.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0032
Diseño de Transistor
QFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
-
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0026ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto