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IRFH5006TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0041 ohm, PQFN, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH5006TRPBFCopiar
No. Parte Newark74R1471
Rango de ProductoHEXFET
También conocido comoSP001560332
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0041
Resistencia de Activación Rds(on)0.0035ohm
Diseño de TransistorPQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia3.6
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Resumen del producto
El IRFH5006TRPBF es un MOSFET de potencia de canal N único HEXFET® que ofrece un pin-out estándar de la industria para compatibilidad con múltiples proveedores. Es adecuado para la rectificación síncrona del lado secundario, aplicaciones de ladrillo de CD a CD y convertidores elevadores. Es compatible con las técnicas existentes de montaje en superficie.
- Bajo RDS (ON) (≤4.1mΩ) da como resultado bajas pérdidas de conducción
- La baja resistencia térmica a PCB (≤0.8°C/W) permite una mejor disipación térmica
- 100% Rg probado para mayor confiabilidad
- El perfil bajo (≤0.9mm) da como resultado una mayor densidad de potencia
- Libre de halógenos
- Cualificación industrial MSL-1 (mayor fiabilidad)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0041
Diseño de Transistor
PQFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0035ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
3.6W
Disipación de Potencia
3.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto