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IRFB4019PBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4019PBF.
No. Parte Newark32AC0687
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.450 |
| 10+ | $1.240 |
| 100+ | $1.130 |
| 500+ | $1.010 |
| 1000+ | $0.960 |
| 3000+ | $0.958 |
| 10000+ | $0.957 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.45
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4019PBF.
No. Parte Newark32AC0687
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id17
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.095
Resistencia de Activación Rds(on)0.08ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd80W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.9
Disipación de Potencia80
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.095
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.9
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
17
Resistencia de Activación Rds(on)
0.08ohm
Disipación de Potencia Pd
80W
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
80
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
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