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IRF5803TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5803TRPBF
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)25M9809
Cinta adhesiva25M9809
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.695 | $0.70 |
| Total Precio | $0.70 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.695 |
| 10+ | $0.421 |
| 25+ | $0.387 |
| 50+ | $0.352 |
| 100+ | $0.317 |
| 250+ | $0.310 |
| 500+ | $0.302 |
| 1000+ | $0.260 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5803TRPBF
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)25M9809
Cinta adhesiva25M9809
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id3.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.112ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.112ohm
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd2W
Disipación de Potencia2W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Aplicaciones potenciales del MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal P adecuadas para interruptores de CD y aplicaciones de interruptores de carga.
- Bajo RDS(on)
- Calidad líder en la industria
- Baja carga de compuerta
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.112ohm
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
2W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3.4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.112ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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