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IPW60R125CPFKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW60R125CPFKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark47W3484
También conocido comoIPW60R125CP, SP000088489
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.090 |
| 10+ | $5.330 |
| 25+ | $4.410 |
| 50+ | $3.960 |
| 100+ | $3.650 |
| 250+ | $3.410 |
| 500+ | $3.340 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.09
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW60R125CPFKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark47W3484
También conocido comoIPW60R125CP, SP000088489
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.125
Resistencia de Activación Rds(on)0.11ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd208W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia208
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IPW60R125CP es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 650V que presenta una carga de puerta ultrabaja. Está diseñado para topologías de conmutación dura, aplicaciones de servidor y telecomunicaciones.
- Baja figura de mérito (FOM) RON x Qg
- Extremo dV/dt clasificado
- Alta capacidad de corriente pico
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Conmutación muy rápida
- Gran capacidad de corriente
- Reducción significativa de las pérdidas de conducción y conmutación.
- Alta densidad de potencia y eficiencia para sistemas de conversión de potencia superiores.
- La mejor relación de rendimiento de su clase
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.125
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia de Activación Rds(on)
0.11ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
208W
Disipación de Potencia
208
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto