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IPG20N06S4L26ATMA1
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N06S4L26ATMA1
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5252
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2049
Cinta adhesiva50Y2049
También conocido comoIPG20N06S4L-26, SP000705588
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
3,513 En Inventario
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3513 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
0 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.110 |
| 10+ | $1.050 |
| 25+ | $0.959 |
| 50+ | $0.870 |
| 100+ | $0.781 |
| 250+ | $0.752 |
| 500+ | $0.722 |
| 1000+ | $0.680 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5000+ | $0.419 |
| 10000+ | $0.411 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N06S4L26ATMA1
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5252
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2049
Cinta adhesiva50Y2049
También conocido comoIPG20N06S4L-26, SP000705588
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N20A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P20A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.021ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.021ohm
Diseño de TransistorTDSON
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N33W
Disipación de Potencia de Canal P33W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IPG20N06S4L-26 is an OptiMOS™-T2 dual N-channel enhancement-mode Power Transistor for direct fuel injection, ABS valves, solenoid control and load switch applications.
- Logic level
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Larger source lead-frame connection for wire bonding
- Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size
- Exposed pad provides excellent thermal transfer (varies by die size)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
20A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.021ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
33W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
20A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.021ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia de Canal N
33W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPG20N06S4L26ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto